本儀器熱探筆內(nèi)裝有加熱和控溫組件，自動加熱并使溫度維持在50?60℃范圍內(nèi)，冷熱探筆在半導體材料上產(chǎn)生的熱電動勢及整法產(chǎn)生的電勢差經(jīng)低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后，用液晶顯示器件（LCD）及檢計示型號方向。儀器靈敏度分、低兩檔，可判別大分非本征半導體材料型號（從阻單晶到重摻單晶）。

二、性能

1、可判別鍺、硅著料的電阻率范圍：

鍺：非本征鍺10³～10^?4Ω·cm

硅：10⁺⁴～10^-4Ω·cm

經(jīng)內(nèi)外實驗證明：在室溫情況下，熱電法對于電阻率低于1000Ω·cm的硅單晶整法結(jié)果可靠。

2、鍺、硅單晶直徑及長度：不受限制

3、顯示方式：由顯示N和P的液晶器件直接示，同時中心刻度為零位檢計也在示型號，針向左偏轉(zhuǎn)被測樣品為N型，針向右偏轉(zhuǎn)被測樣品為P型。

5、探針：用ASTM F42標準中建議的不銹鋼作冷熱探針材料，針尖為60℃錐體，熱筆溫度自動保持在50?60℃范圍內(nèi)，冷筆與室溫相同。整法行選用硬質(zhì)合金作探針。

6、電源及耗：AC 220V±10%，50HZ交供電，zui大耗（熱筆加熱狀態(tài)）小于40W，平均耗≈10W。

7、外型尺寸：370×320×110（mm）

8、重量：約 4 kg